可控硅元件的简易判测方法及应用指南(2)

原作者:[标签:作者] 添加时间:2007-07-02 原文发表:2007-07-02 人气:19

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就近接入阻容吸收电路，可防止可控硅不受瞬间高压击穿。9、可控硅的并联使用一般地说，可控硅最好不要用直接并联的方法来增大其电流容量，如受条件限制不得不采用并联方法时，应按下法进行：a、挑选在实际工作电流下通态电压相差不超过0.05V，触发电压与触发电流相差都不超过10%的可控硅作并联器件。b、在控制极上各串接入5.1Ω、1/4的碳膜电阻器进行均流，再参与并联。c、将各可控硅的阳极、阴极用一样规格的导线各自接入电源端和负载端。d、开始试用后不久即应探测各并联可控硅的温升情况，如某管温升低或几乎没有温升，即应调换触发电压较低的可控硅。直至各可控温升接近。注：采用上述办法，要求可控硅触发器的输出功率较大，如脉冲幅度不低于4V，脉冲前沿在1uS内，输出内阻在3Ω内。10、从抗干扰的角度来说，可控硅的触发灵敏度并非越高越好，一般选择触发电压2.2V左右，触发电流75mA左右较合适。11、与单向可控硅不同，双向可控硅有时会发生换向失败的问题。具体表现在处于反向阻断状态下的可控硅在尚未加上触发电压的情况下，在正向电压作用下自行寻通。换向失败的本质是可控硅的换向电压上升率（du/dt）差。失败的原因一是由反向恢复电流引起，二是由控制极外电路通过门极晶闸管引起。换向失败可通过加大触发源的源电阻或串入二极管，以减少或阻挡此电流的通道，提高换向能力来解决。12、由于大电流可控硅价格昂贵，因此其工作状态和使用寿命就必然被人们重视。因此驱动可控硅的仪表其输出的触发信号质量，如：脉冲前沿陡度、脉冲宽度、脉冲幅度就显得十分重要。目前普通可控硅的通态电流临界上升率di/dt一般在15-50A/μS左右，这就要求脉冲前沿应该在1μS内，脉冲宽度在20μS以上，脉冲幅度在3V以上，以降低开通损耗和扩展损耗。

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